具备高温、高压、充氮气、抽真空等功能;
自动开关门、电子仪表显示;
高效热风循环、精准控温、水冷降温;
可抽真空后充入氮气烘烤、高温高压烘烤;
智能化控制、数据采集上传等支持定制。
在先进半导体制造与封装领域,材料的精密烘烤与固化过程直接决定了器件的可靠性与良率。半导体真空压力烤箱应运而生,它并非传统意义上的烘箱,而是一个可精密调控的温度、压力与气氛协同作用平台。通过集成高温(最高300℃)、高压(最高1.2MPa)、高真空(<5Pa)及充氮置换功能,该设备为芯片粘结、底部填充、塑封料固化、基板烘烤等关键工序提供了杜绝氧化、消除气泡、确保均匀性的终极解决方案,是迈向高可靠性制造的必备工艺装备。

温度控制:采用PID+SSR智能调功,控温精度达±0.3℃,腔体均匀性±1.5℃,支持多段非线性编程升温。
压力控制:可实现真空烘烤(除湿、除氧)→充氮保护(惰性气氛)→正压固化(抑制气泡) 的全流程自动化压力序列控制。
气氛控制:配备高精度质量流量计(MFC),充氮过程氧含量可稳定控制在100ppm以下,满足最严苛的无氧烘烤要求。
安全联锁:压力、温度、门状态三重硬软件安全互锁,确保任何异常下的自动泄压与安全停机。
强力热风循环:独特的风道设计结合大功率离心风机,确保在满载工况下仍保持优异的温度均匀性。
快速水冷降温:内置高效板式换热器与冷却水回路,可在完成高温工艺后快速将腔体降温至安全温度,大幅缩短生产周期。
腔体特殊处理:内腔采用镜面不锈钢或电解抛光,易于清洁,确保工艺洁净度;外壁多层保温隔热,表面温升低,节能安全。
人性化界面:10.1英寸彩色触摸屏,图形化显示实时温度/压力曲线、工艺流程与设备状态。
配方管理:海量配方存储与调用,支持权限管理,确保工艺一致性。
全面数据采集:标配数据记录仪功能,所有工艺参数(T/P/O2)全程记录,支持U盘导出与以太网接口(OPC UA/Modbus TCP) 直连工厂MES/SPC系统,实现完整的产品工艺追溯链。
工艺难题:多芯片、异质集成导致内部空间狭小,底部填充胶(Underfill)流动和固化过程中极易产生空洞,引发热应力集中和可靠性失效。
VT烤箱解决方案:采用 “真空辅助填充+正压固化”工艺。先在真空下抽取模腔与胶水内气泡,促进胶体流动填充每一处缝隙;随后充入氮气并施加0.3-0.5MPa压力进行固化,有效抑制气泡再生,确保填充率>99%,大幅提升封装体机械与热可靠性。
工艺难题:DBC衬底与基板之间的焊接层或导热界面材料(TIM)存在空洞,严重阻碍热量导出,导致芯片结温过高,模块寿命骤减。
VT烤箱解决方案:实施 “高温高压烧结/固化”工艺。在惰性氮气保护下,施加0.8-1.0MPa的高压,同时升温至焊料烧结或TIM固化温度。高压环境迫使材料致密化,几乎完全消除界面空洞,可将热阻降低20%-40%,显著提升模块的功率循环与温度循环寿命。
工艺难题:MEMS结构脆弱,对污染物(尤其是有机物)和热应力极为敏感;某些工艺需要在无氧环境下进行键合或固化,防止材料氧化。
VT烤箱解决方案:启用 “高真空除气+洁净充氮烘烤”模式。首先通过高真空彻底去除晶圆表面及腔体内的水分和挥发性有机物;然后充入高纯度氮气进行低温烘烤或键合。此过程洁净、无氧化、低热应力,完美保护精细的MEMS结构,提升产品良率与长期稳定性。
工艺难题:高频电路基板(如陶瓷、PTFE)在加工后易吸潮,导致介电常数不稳定,影响电路性能;传统烘箱难以彻底除湿且可能引入氧化。
VT烤箱解决方案:采用 “真空低温除湿烘烤”工艺。在真空环境下,水分沸点降低,可在相对较低的温度(如80-120℃) 下实现深度除湿,避免高温损伤基材。随后可充氮保存,确保基板在后续工序中保持性能一致。
| 设备尺寸 | 1550*1820*1520mm |
内腔尺寸&材质 | (L)400*(W)600*(H)400mm(支持定制);内腔材质304不锈钢 |
| 压力范围 | 最大压力1.0Mpa,最小压力100pa |
| 烘烤时间 | 可在参数页面设置,1~999min |
| 升/降温 | 可根据需求设置多段升降温曲线 |
| 温度控制精度 | ±1℃ |
| 均温性 | 士3°C |
| 可存储配方数量 | 100组 |
| 极限耐热温度 | 250°C |
隔热性能 | 内腔温度200°C时,外壳50℃C以内 |
| 数据上传 | 自动扫码并上传参数至SFC/MES |
| 电源/功率 | AC380V/50HZ,35KW |